Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| III族窒化物系化合物半導体素子及びその製造方法 | |
| 其他题名 | III族窒化物系化合物半導体素子及びその製造方法 |
| 加藤 久喜; 小出 典克 | |
| 2000-10-13 | |
| 专利权人 | 豊田合成株式会社 |
| 公开日期 | 2000-10-13 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | (修正有) 【目的】 高品質のIII族窒化物系化合物半導体素子を再現性良く製造する方法を提供する。 【構成】 シリコン基板11の側壁を拡散防止層18で被覆した状態でIII族窒化物系化合物半導体を前記シリコン基板の上面に成長させる。 |
| 其他摘要 | （经修改） 提供一种用于制造具有良好再现性的高质量III族氮化物化合物半导体器件的方法。 在硅衬底的侧壁上覆盖有防扩散层的状态下，在硅衬底的上表面上生长III族氮化物基化合物半导体。 |
| 申请日期 | 1999-03-31 |
| 专利号 | JP2000286449A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1999092291 |
| 公开（公告）号 | JP2000286449A |
| IPC 分类号 | H01L33/34 | H01S5/323 | H01S5/343 | H01L33/12 | H01L31/10 | H01L33/06 | H01L33/32 | H01L21/205 | H01S5/00 | H01L33/44 | H01L33/00 |
| 专利代理人 | 小西 富雅 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83668 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 豊田合成株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 加藤 久喜,小出 典克. III族窒化物系化合物半導体素子及びその製造方法. JP2000286449A[P]. 2000-10-13. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2000286449A.PDF（150KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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