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半導体発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2014007293A, 申请日期: 2014-01-16, 公开日期: 2014-01-16
发明人:  内藤 秀幸;  宮本 昌浩;  鳥井 康介;  樋口 彰;  青木 優太;  吉田 治正;  森田 剛徳;  前田 純也;  宮島 博文
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半導体発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2014007335A, 申请日期: 2014-01-16, 公开日期: 2014-01-16
发明人:  鳥井 康介;  内藤 秀幸;  宮本 昌浩;  樋口 彰;  青木 優太;  森田 剛徳;  宮島 博文;  前田 純也;  吉田 治正
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レーザ装置 专利
专利类型: 授权发明, 授权发明, 专利号: JP4153130B2, JP4153130B2, 申请日期: 2008-07-11, 2008-07-11, 公开日期: 2008-09-17, 2008-09-17
发明人:  宮島 博文;  菅 博文;  山口 十六夫
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半導体レーザアレイ 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2002335046A, 申请日期: 2002-11-22, 公开日期: 2002-11-22
发明人:  宮島 博文;  菅 博文;  内山 貴之;  大石 諭
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光半導体装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3238734B2, 申请日期: 2001-10-05, 公开日期: 2001-12-17
发明人:  菅 博文;  内藤 寿夫;  伊藤 之弘;  松井 謙;  宮島 博文
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半導体レーザ装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2001044574A, 申请日期: 2001-02-16, 公开日期: 2001-02-16
发明人:  宮島 博文;  菅 博文
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半導体レーザ 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999126944A, 申请日期: 1999-05-11, 公开日期: 1999-05-11
发明人:  宮島 博文;  神崎 武司;  森田 剛徳;  菅 博文
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レーザダイオードの選別方法及びレーザダイオードの活性領域の応力の測定方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1995311238A, 申请日期: 1995-11-28, 公开日期: 1995-11-28
发明人:  宮島 博文;  内藤 寿夫;  伊藤 之弘;  松井 謙;  鈴木 修司;  菅 博文
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光半導体装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1994152058A, 申请日期: 1994-05-31, 公开日期: 1994-05-31
发明人:  菅 博文;  内藤 寿夫;  伊藤 之弘;  松井 謙;  宮島 博文;  牧野 貴光
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光半導体装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1994152057A, 申请日期: 1994-05-31, 公开日期: 1994-05-31
发明人:  菅 博文;  内藤 寿夫;  伊藤 之弘;  松井 謙;  宮島 博文;  牧野 貴光
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