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半導体レーザ及びその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3697304B2, 申请日期: 2005-07-08, 公开日期: 2005-09-21
发明人:  大場 康夫;  波多野 吾紅
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化合物半導体素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3243111B2, 申请日期: 2001-10-19, 公开日期: 2002-01-07
发明人:  波多野 吾紅;  大場 康夫
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半導体レーザ 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3152901B2, 申请日期: 2001-01-26, 公开日期: 2001-04-03
发明人:  波多野 吾紅;  泉谷 敏英;  大場 康夫
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青色半導体発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998247760A, 申请日期: 1998-09-14, 公开日期: 1998-09-14
发明人:  大場 康夫;  泉谷 敏英;  波多野 吾紅
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半導体レーザ 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998242567A, 申请日期: 1998-09-11, 公开日期: 1998-09-11
发明人:  波多野 吾紅;  泉谷 敏英;  大場 康夫
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半導体レーザ 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998242569A, 申请日期: 1998-09-11, 公开日期: 1998-09-11
发明人:  波多野 吾紅;  泉谷 敏英;  大場 康夫
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半導体レーザ装置、ダブルヘテロウエハおよびその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2728672B2, 申请日期: 1997-12-12, 公开日期: 1998-03-18
发明人:  大場 康夫;  菅原 秀人
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半導体発光装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1997232685A, 申请日期: 1997-09-05, 公开日期: 1997-09-05
发明人:  大場 康夫
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半導体発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1997219541A, 申请日期: 1997-08-19, 公开日期: 1997-08-19
发明人:  波多野 吾紅;  泉谷 敏英;  大場 康夫
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半導体レーザ装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2685800B2, 申请日期: 1997-08-15, 公开日期: 1997-12-03
发明人:  成塚 重弥;  石川 正行;  板谷 和彦;  国分 義弘;  大場 康夫
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