半導体レーザ及びその製造方法

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	半導体レーザ及びその製造方法
其他题名	半導体レーザ及びその製造方法
	大場康夫; 波多野吾紅
	2005-07-08
专利权人	株式会社東芝
公开日期	2005-09-21
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	【課題】 p型ドープ層が所望の抵抗値を有するとともに、優れた性能を有するIII-V族化合物半導体を主成分とする半導体レーザーを提供する。【解決手段】基板、前記基板上に形成され、 III-V族化合物半導体を主成分とする下部クラッド層、下部クラッド層の直上に形成され、 III-V族化合物半導体を主成分とする活性層、及び活性層の直上に形成され、 III-V族化合物半導体を主成分とする上部p型クラッド層を有する発振波長450nm以下の半導体レーザーである。前記上部p型クラッド層中に、MgとSiとが含有されていることを特徴とする。前記 III-V族化合物半導体としては、GaN系化合物半導体が好ましく、上部クラッド層中のSiの含有量は、好ましくは5×1018/cm3以上である。
其他摘要	用途：通过使Mg和Si包含在主要由III-V族化合物半导体制成的上部p型覆层中，实现p型掺杂层的所需电阻值并提高可靠性。组成：在基板10上形成第一缓冲层11和第二缓冲层12.通过向有机金属Al化合物添加诸如SiH4的n型掺杂材料形成包含AlGaN的第一包层13。有机金属Ga化合物。有源层14由有机Ga化合物制成。通过将诸如有机金属Al化合物的p型掺杂材料添加到有机金属Al化合物和有机金属Ga化合物中来形成第二覆层15。然后，形成接触层16，并在第二缓冲层12的暴露表面上形成Au / TiAl电极17.最后，形成Au / Ni电极18。因此，提供半导体层19。
申请日期	1995-12-19
专利号	JP3697304B2
专利状态	失效
申请号	JP1995330425
公开（公告）号	JP3697304B2
IPC 分类号	H01L21/363 \| H01L \| H01S \| H01L29/45 \| H01S5/323 \| H01S5/327 \| H01S5/343 \| H01L21/205 \| H01L29/40 \| H01L21/365 \| H01S5/00
专利代理人	鈴江武彦
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79070
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	株式会社東芝
推荐引用方式 GB/T 7714	大場康夫,波多野吾紅. 半導体レーザ及びその製造方法. JP3697304B2[P]. 2005-07-08.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP3697304B2.PDF（94KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文