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半導体レーザ素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP4198209B2, 申请日期: 2008-10-10, 公开日期: 2008-12-17
发明人:  内藤 由美;  大久保 敦;  藤本 毅
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面発光レーザ装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3869106B2, 申请日期: 2006-10-20, 公开日期: 2007-01-17
发明人:  大久保 敦
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半导体激光元件及使用它的激光模块 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1278464C, 申请日期: 2006-10-04, 公开日期: 2006-10-04
发明人:  大久保敦;  冈田知;  藤本毅;  小矶武;  室清文;  大久保典雄;  大木泰
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面発光レーザ装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3761130B2, 申请日期: 2006-01-20, 公开日期: 2006-03-29
发明人:  大久保 敦
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半導体レーザの製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999154775A, 申请日期: 1999-06-08, 公开日期: 1999-06-08
发明人:  藤本 毅;  内藤 由美;  大久保 敦;  山田 義和
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半導体レーザ素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1996316566A, 申请日期: 1996-11-29, 公开日期: 1996-11-29
发明人:  岡田 知;  藤本 毅;  大久保 敦
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