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半導体発光素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3716395B2, 申请日期: 2005-09-09, 公开日期: 2005-11-16
发明人:  堂免 恵
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半導体レーザ、半導体発光素子、及び、その製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999340580A, 申请日期: 1999-12-10, 公开日期: 1999-12-10
发明人:  堂免 恵;  倉又 朗人;  窪田 晋一;  副島 玲子
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半導体発光装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1997069665A, 申请日期: 1997-03-11, 公开日期: 1997-03-11
发明人:  堂免 恵;  穴山 親志
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半導体レーザ 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1995263799A, 申请日期: 1995-10-13, 公开日期: 1995-10-13
发明人:  堂免 恵;  古谷 章
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半導体レーザ 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1995162079A, 申请日期: 1995-06-23, 公开日期: 1995-06-23
发明人:  古谷 章;  堂免 恵;  穴山 親志;  近藤 真人
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半導体発光装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1994275910A, 申请日期: 1994-09-30, 公开日期: 1994-09-30
发明人:  堂免 恵;  小林 宏彦
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半導体レーザ及びその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1994268322A, 申请日期: 1994-09-22, 公开日期: 1994-09-22
发明人:  岡田 直子;  近藤 真人;  穴山 親志;  堂免 恵;  古谷 章
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半導体発光装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1994164054A, 申请日期: 1994-06-10, 公开日期: 1994-06-10
发明人:  堂免 恵;  穴山 親志;  近藤 真人
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半導体レーザ装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1993291679A, 申请日期: 1993-11-05, 公开日期: 1993-11-05
发明人:  穴山 親志;  近藤 真人;  棚橋 俊之;  堂免 恵;  古谷 章
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半導体発光装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1993259566A, 申请日期: 1993-10-08, 公开日期: 1993-10-08
发明人:  近藤 真人;  穴山 親志;  堂免 恵;  古谷 章;  菅野 真実;  棚橋 俊之
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