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化合物半导体发光器件的外延衬底及制造方法和发光器件 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1484324B, 申请日期: 2011-01-19, 公开日期: 2011-01-19
发明人:  山中贞则;  土田良彦;  小野善伸;  家近泰
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半导体多层衬底、半导体自立衬底及其制备方法以及半导体器件 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN100547734C, 申请日期: 2009-10-07, 公开日期: 2009-10-07
发明人:  平松和政;  三宅秀人;  土田良彦;  小野善伸;  西川直宏
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