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半導体レーザ装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2685800B2, 申请日期: 1997-08-15, 公开日期: 1997-12-03
发明人:  成塚 重弥;  石川 正行;  板谷 和彦;  国分 義弘;  大場 康夫
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半導体レーザ装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2685778B2, 申请日期: 1997-08-15, 公开日期: 1997-12-03
发明人:  西川 幸江;  大場 康夫;  国分 義弘;  石川 正行
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半導体レーザの製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2642404B2, 申请日期: 1997-05-02, 公开日期: 1997-08-20
发明人:  粒来 保彦;  国分 義弘
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半導体素子及びその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1996264894A, 申请日期: 1996-10-11, 公开日期: 1996-10-11
发明人:  櫛部 光弘;  国分 義弘
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半導体レーザ 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1996255950A, 申请日期: 1996-10-01, 公开日期: 1996-10-01
发明人:  櫛部 光弘;  高岡 圭児;  船水 将久;  国分 義弘
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