半導体レーザの製造方法

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	半導体レーザの製造方法
其他题名	半導体レーザの製造方法
	粒来保彦; 国分義弘
	1997-05-02
专利权人	株式会社東芝
公开日期	1997-08-20
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	PURPOSE:To prevent crystal defect and application of stress to an active layer and to improve element characteristics by growing a P-type clad layer while varying composition ratio of group III elements of a supplied material constituting the clad layer according to a concentration of an acceptor dopant added in the clad layer, so that the composition ratios are different from composition ratios of group III elements in a material supplied when an N-type clad layer is formed. CONSTITUTION:On an N-type GaAs substrate 11, there are deposited by the MOCVD process an N-type GaAs buffer layer 12, an N-type In0.5(Ga0.5Al0.5)0.5P clad layer 13, an undoped In0.5Ga0.5P active layer 14, a P-type In0.5(Ga0.5Al0.5)0.5P clad layer 15, a P-type In0.5Ga0.5P cap layer 16 and an N-type GaAs block layer 17 sequentially in that order. For growth of the clad layer 15, vapor phase composition Xg1 is such that amount of In is larger than an amount of group III material supplied when the clad layer 13 is grown. For growth of the other layers, vapor phase composition Xg0 is such that lattice consistency is obtained. The block layer 17 is then provided with a groove, and a GaAs contact layer 18 is regrown. Finally, electrodes 21, 22 are adhered on the N- and P-sides, respectively.
其他摘要	用途：防止晶体缺陷和对有源层施加应力，并通过生长P型覆层来改善元件特性，同时根据受体浓度改变构成包层的供应材料的III族元素的组成比掺杂剂添加在包层中，使得组成比与形成N型包层时供应的材料中III族元素的组成比不同。组成：在N型GaAs衬底11上，通过MOCVD工艺沉积N型GaAs缓冲层12，N型In0.5（Ga0.5Al0.5）0.5P包层13，未掺杂的In0 .5Ga0.5P有源层14，P型In0.5（Ga0.5Al0.5）0.5P包层15，P型In0.5Ga0.5P覆盖层16和N型GaAs阻挡层17依次以该顺序。为了包覆层15的生长，气相组成Xg1使得In的量大于在包覆层13生长时供应的III族材料的量。对于其他层的生长，气相组成Xg0使得获得晶格一致性。然后，阻挡层17设置有凹槽，并且再生长GaAs接触层18。最后，电极21,22分别粘附在N侧和P侧。
申请日期	1988-05-13
专利号	JP2642404B2
专利状态	失效
申请号	JP1988116705
公开（公告）号	JP2642404B2
IPC 分类号	H01L \| H01S \| H01L21/205 \| H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	鈴江武彦 (外2名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87779
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	株式会社東芝
推荐引用方式 GB/T 7714	粒来保彦,国分義弘. 半導体レーザの製造方法. JP2642404B2[P]. 1997-05-02.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2642404B2.PDF（47KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文