中文版 | English

在结果中检索

OPT OpenIR

浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助

已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
半导体器件制造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1302519C, 申请日期: 2007-02-28, 公开日期: 2007-02-28
发明人:  日野智公;  浅野竹春;  朝妻庸纪;  喜嶋悟;  船户健次;  富谷茂隆
Adobe PDF(1126Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：142/0  |  提交时间：2019/12/26
氮基半导体激光器件和其生产方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1457539A, 申请日期: 2003-11-19, 公开日期: 2003-11-19
发明人:  山口恭司;  小林高志;  小林俊雅;  喜岛悟;  富冈聪;  安斋信一;  东条刚
Adobe PDF(2224Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：113/0  |  提交时间：2020/01/18