|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式： |
| III族氮化物半导体激光器元件的制作方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN102934301B, 申请日期: 2014-10-22, 公开日期: 2014-10-22
发明人: 高木慎平; 善积祐介; 片山浩二; 上野昌纪; 池上隆俊
 Adobe PDF(4012Kb) |  收藏 | 浏览/下载：100/0 | 提交时间：2019/12/24 |
| III族氮化物半导体激光器元件及制作III族氮化物半导体激光器元件的方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN102668282B, 申请日期: 2014-10-15, 公开日期: 2014-10-15
发明人: 高木慎平; 善积祐介; 片山浩二; 上野昌纪; 池上隆俊
Adobe PDF(4465Kb) | 收藏 | 浏览/下载：78/0 | 提交时间：2019/12/26 |
| III族氮化物半导体激光器元件及III族氮化物半导体激光器元件的制作方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN102549860B, 申请日期: 2014-10-01, 公开日期: 2014-10-01
发明人: 善积祐介; 盐谷阳平; 京野孝史; 足立真宽; 德山慎司; 住友隆道; 上野昌纪; 池上隆俊; 片山浩二; 中村孝夫
Adobe PDF(2301Kb) | 收藏 | 浏览/下载：87/0 | 提交时间：2019/12/24 |
| III族氮化物半导体激光器元件及制作III族氮化物半导体激光器元件的方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN102668279B, 申请日期: 2014-09-10, 公开日期: 2014-09-10
发明人: 善积祐介; 高木慎平; 池上隆俊; 上野昌纪; 片山浩二
Adobe PDF(4784Kb) | 收藏 | 浏览/下载：84/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| 氮化物半导体激光器以及外延基板 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN103999305A, 申请日期: 2014-08-20, 公开日期: 2014-08-20
发明人: 京野孝史; 盐谷阳平; 住友隆道; 善积祐介; 上野昌纪; 梁岛克典; 田才邦彦; 中岛博
Adobe PDF(2112Kb) | 收藏 | 浏览/下载：87/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| 氮化物半导体发光元件及外延衬底 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN102422496B, 申请日期: 2014-08-06, 公开日期: 2014-08-06
发明人: 京野孝史; 盐谷阳平; 秋田胜史; 上野昌纪; 善积祐介; 住友隆道
Adobe PDF(1562Kb) | 收藏 | 浏览/下载：84/0 | 提交时间：2019/12/26 |
| III族氮化物半导体激光器元件及III族氮化物半导体激光器元件的制作方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN102549859B, 申请日期: 2014-08-06, 公开日期: 2014-08-06
发明人: 善积祐介; 盐谷阳平; 京野孝史; 足立真宽; 德山慎司; 住友隆道; 上野昌纪; 池上隆俊; 片山浩二; 中村孝夫
Adobe PDF(2292Kb) | 收藏 | 浏览/下载：100/0 | 提交时间：2020/01/13 |
| III族氮化物半导体激光元件、及制作III族氮化物半导体激光元件的方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN102763293B, 申请日期: 2014-07-23, 公开日期: 2014-07-23
发明人: 高木慎平; 善积祐介; 片山浩二; 上野昌纪; 池上隆俊
Adobe PDF(3436Kb) | 收藏 | 浏览/下载：85/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| III族氮化物半导体激光器元件及其制作方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN102025104B, 申请日期: 2014-07-02, 公开日期: 2014-07-02
发明人: 善积祐介; 盐谷阳平; 京野孝史; 足立真宽; 秋田胜史; 上野昌纪; 住友隆道; 德山慎司; 片山浩二; 中村孝夫; 池上隆俊
Adobe PDF(1699Kb) | 收藏 | 浏览/下载：80/0 | 提交时间：2019/12/26 |
| III族氮化物半导体激光元件 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN103620895A, 申请日期: 2014-03-05, 公开日期: 2014-03-05
发明人: 住友隆道; 上野昌纪; 善积祐介; 吉田乔久; 足立真宽
Adobe PDF(1523Kb) | 收藏 | 浏览/下载：66/0 | 提交时间：2019/12/31 |
