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一种改善绝缘衬底上纳米阵列结构器件制作的方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101863452A, 申请日期: 2010-10-20, 公开日期: 2010-10-20
发明人:  郑新和;  唐龙娟;  杨辉
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