一种改善绝缘衬底上纳米阵列结构器件制作的方法

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	一种改善绝缘衬底上纳米阵列结构器件制作的方法
其他题名	一种改善绝缘衬底上纳米阵列结构器件制作的方法
	郑新和; 唐龙娟; 杨辉
	2010-10-20
专利权人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
公开日期	2010-10-20
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明揭示了一种改善绝缘衬底上纳米阵列结构器件制作的方法，其特征在于包括步骤：先对绝缘衬底上的半导体器件光刻并进行第一次台面刻蚀，形成一阶梯状的样品结构；再在阶梯上方的台面制作微结构掩模层；继而进行第二次台面刻蚀，同时刻蚀形成纳米阵列结构。本发明通过两步刻蚀来形成n区(或p区)的台面，由于仅在相对偏高的上台面制作微结构掩模，可以避免刻蚀过程中下台面的电极区产生粗糙的尖峰状凸起，方法简单快捷，普适性强。通过电极区粗糙度的改善，可以增强后续淀积的金属电极的附着，使之不易剥落，提高器件的可靠性，同时也便于后续其它工艺(如键合等)的进行。
其他摘要	本发明揭示了一种改善绝缘衬底上纳米阵列结构器件制作的方法，其特征在于包括步骤：先对绝缘衬底上的半导体器件光刻并进行第一次台面刻蚀，形成一阶梯状的样品结构；再在阶梯上方的台面制作微结构掩模层；继而进行第二次台面刻蚀，同时刻蚀形成纳米阵列结构。本发明通过两步刻蚀来形成n区(或p区)的台面，由于仅在相对偏高的上台面制作微结构掩模，可以避免刻蚀过程中下台面的电极区产生粗糙的尖峰状凸起，方法简单快捷，普适性强。通过电极区粗糙度的改善，可以增强后续淀积的金属电极的附着，使之不易剥落，提高器件的可靠性，同时也便于后续其它工艺(如键合等)的进行。
申请日期	2010-06-10
专利号	CN101863452A
专利状态	授权
申请号	CN201010196480.5
公开（公告）号	CN101863452A
IPC 分类号	B82B3/00 \| H01L31/18 \| H01L33/00 \| H01S5/00
专利代理人	陈忠辉
代理机构	南京苏科专利代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90510
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	郑新和,唐龙娟,杨辉. 一种改善绝缘衬底上纳米阵列结构器件制作的方法. CN101863452A[P]. 2010-10-20.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN101863452A.PDF（292KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文