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光半導体素子およびその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2814906B2, 申请日期: 1998-08-14, 公开日期: 1998-10-27
发明人:  北村 光弘;  佐々木 達也;  阪田 康隆
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半導体レーザ 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2812273B2, 申请日期: 1998-08-07, 公开日期: 1998-10-22
发明人:  北村 光弘;  山崎 裕幸;  辻 正芳;  バイデンス ルック
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選択成長導波型光制御素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2760276B2, 申请日期: 1998-03-20, 公开日期: 1998-05-28
发明人:  小松 啓郎;  北村 光弘;  山口 昌幸
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集積型光半導体装置およびその駆動方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2751558B2, 申请日期: 1998-02-27, 公开日期: 1998-05-18
发明人:  北村 光弘
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光半導体素子の製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2725449B2, 申请日期: 1997-12-05, 公开日期: 1998-03-11
发明人:  北村 光弘;  佐々木 達也
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波長可変半導体レーザ 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2687891B2, 申请日期: 1997-08-22, 公开日期: 1997-12-08
发明人:  北村 光弘
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半導体レーザ 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2671317B2, 申请日期: 1997-07-11, 公开日期: 1997-10-29
发明人:  北村 光弘;  小野 雄三;  小林 功郎
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半導体レーザ及びその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1997092926A, 申请日期: 1997-04-04, 公开日期: 1997-04-04
发明人:  北村 光弘;  岩田 普
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半導体レ-ザ 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2570732B2, 申请日期: 1996-10-24, 公开日期: 1997-01-16
发明人:  北村 光弘
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光半導体素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2555983B2, 申请日期: 1996-09-05, 公开日期: 1996-11-20
发明人:  北村 光弘
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