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半导体器件及其制造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN100492619C, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 2009-05-27
发明人:  范合公;  坪野谷诚;  涩泽克彦;  加藤隆规
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