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半导体器件及其制造方法
其他题名半导体器件及其制造方法
范合公; 坪野谷诚; 涩泽克彦; 加藤隆规
2009-05-27
专利权人三洋电机株式会社
公开日期2009-05-27
授权国家中国
专利类型授权发明
摘要本发明提供一种内置与外部热隔离的半导体元件的半导体器件及其制造方法。在本发明的半导体器件(100)包括:载置在支承衬底(11)的表面的半导体元件(16);覆盖支承衬底(11)的表面以密封半导体元件(16)的外壳材料(12);将延伸到外部的外部端子(18)和半导体元件(16)电连接的作为连接部件的金属细线(15);以及通过与半导体元件(16)的侧面接触,将半导体元件(16)机械地固定在支承衬底上的作为固定部的框架材料(14)。
其他摘要本发明提供一种内置与外部热隔离的半导体元件的半导体器件及其制造方法。在本发明的半导体器件(100)包括:载置在支承衬底(11)的表面的半导体元件(16);覆盖支承衬底(11)的表面以密封半导体元件(16)的外壳材料(12);将延伸到外部的外部端子(18)和半导体元件(16)电连接的作为连接部件的金属细线(15);以及通过与半导体元件(16)的侧面接触,将半导体元件(16)机械地固定在支承衬底上的作为固定部的框架材料(14)。
申请日期2004-07-16
专利号CN100492619C
专利状态授权
申请号CN200410071244.5
公开(公告)号CN100492619C
IPC 分类号H01L23/12 | H01L23/02 | H01L23/28 | H01L21/58 | H01L21/52 | H01L21/56 | H01L21/60 | H05K1/00 | H01S5/022 | H01L21/50 | H01L23/055 | H01L23/32 | H01L31/02 | H01L33/62
专利代理人马莹 | 邵亚丽
代理机构北京市柳沈律师事务所
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48179
专题半导体激光器专利数据库
作者单位三洋电机株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
范合公,坪野谷诚,涩泽克彦,等. 半导体器件及其制造方法. CN100492619C[P]. 2009-05-27.
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