Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
半导体器件及其制造方法 | |
其他题名 | 半导体器件及其制造方法 |
范合公; 坪野谷诚; 涩泽克彦; 加藤隆规 | |
2009-05-27 | |
专利权人 | 三洋电机株式会社 |
公开日期 | 2009-05-27 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 授权发明 |
摘要 | 本发明提供一种内置与外部热隔离的半导体元件的半导体器件及其制造方法。在本发明的半导体器件(100)包括:载置在支承衬底(11)的表面的半导体元件(16);覆盖支承衬底(11)的表面以密封半导体元件(16)的外壳材料(12);将延伸到外部的外部端子(18)和半导体元件(16)电连接的作为连接部件的金属细线(15);以及通过与半导体元件(16)的侧面接触,将半导体元件(16)机械地固定在支承衬底上的作为固定部的框架材料(14)。 |
其他摘要 | 本发明提供一种内置与外部热隔离的半导体元件的半导体器件及其制造方法。在本发明的半导体器件(100)包括:载置在支承衬底(11)的表面的半导体元件(16);覆盖支承衬底(11)的表面以密封半导体元件(16)的外壳材料(12);将延伸到外部的外部端子(18)和半导体元件(16)电连接的作为连接部件的金属细线(15);以及通过与半导体元件(16)的侧面接触,将半导体元件(16)机械地固定在支承衬底上的作为固定部的框架材料(14)。 |
申请日期 | 2004-07-16 |
专利号 | CN100492619C |
专利状态 | 授权 |
申请号 | CN200410071244.5 |
公开(公告)号 | CN100492619C |
IPC 分类号 | H01L23/12 | H01L23/02 | H01L23/28 | H01L21/58 | H01L21/52 | H01L21/56 | H01L21/60 | H05K1/00 | H01S5/022 | H01L21/50 | H01L23/055 | H01L23/32 | H01L31/02 | H01L33/62 |
专利代理人 | 马莹 | 邵亚丽 |
代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48179 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 三洋电机株式会社 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 范合公,坪野谷诚,涩泽克彦,等. 半导体器件及其制造方法. CN100492619C[P]. 2009-05-27. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
CN100492619C.PDF(881KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
个性服务 |
推荐该条目 |
保存到收藏夹 |
查看访问统计 |
导出为Endnote文件 |
谷歌学术 |
谷歌学术中相似的文章 |
[范合公]的文章 |
[坪野谷诚]的文章 |
[涩泽克彦]的文章 |
百度学术 |
百度学术中相似的文章 |
[范合公]的文章 |
[坪野谷诚]的文章 |
[涩泽克彦]的文章 |
必应学术 |
必应学术中相似的文章 |
[范合公]的文章 |
[坪野谷诚]的文章 |
[涩泽克彦]的文章 |
相关权益政策 |
暂无数据 |
收藏/分享 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论