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外延生长用基板、GaN类半导体膜的制造方法、GaN类半导体膜、GaN类半导体发光元件的制造方法以及GaN类半导体发光元件 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101939820A, 申请日期: 2011-01-05, 公开日期: 2011-01-05
发明人:  冈川广明;  工藤广光;  中井辉久;  金成珍
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具有低位错密度的氮化镓族晶体基底部件及其用途和制法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1162919C, 申请日期: 2004-08-18, 公开日期: 2004-08-18
发明人:  只友一行;  宫下启二;  冈川広明;  平松和政;  大内洋一郎;  泽木宣彦;  矢桥胜典;  柴田巧
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