Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 外延生长用基板、GaN类半导体膜的制造方法、GaN类半导体膜、GaN类半导体发光元件的制造方法以及GaN类半导体发光元件 | |
| 其他题名 | 外延生长用基板、GaN类半导体膜的制造方法、GaN类半导体膜、GaN类半导体发光元件的制造方法以及GaN类半导体发光元件 |
| 冈川广明; 工藤广光; 中井辉久; 金成珍 | |
| 2011-01-05 | |
| 专利权人 | 丰田合成株式会社 |
| 公开日期 | 2011-01-05 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明的外延生长用基板至少在表层部分具有由不同于GaN类半导体的材料构成的单晶部；并且具有包含多个凸部和多个生长空间的凹凸面作为其外延生长用表面，其中，所述多个凸部的排列使得每个凸部分别在相隔120度的不同方向上具有3个最接近的其它凸部；所述多个生长空间中的每个生长空间被6个上述凸部所包围；上述单晶部至少在上述生长空间处露出，并可由此实现从上述生长空间中生长出c轴取向的GaN类半导体晶体。 |
| 其他摘要 | 本发明的外延生长用基板至少在表层部分具有由不同于GaN类半导体的材料构成的单晶部；并且具有包含多个凸部和多个生长空间的凹凸面作为其外延生长用表面，其中，所述多个凸部的排列使得每个凸部分别在相隔120度的不同方向上具有3个最接近的其它凸部；所述多个生长空间中的每个生长空间被6个上述凸部所包围；上述单晶部至少在上述生长空间处露出，并可由此实现从上述生长空间中生长出c轴取向的GaN类半导体晶体。 |
| 申请日期 | 2009-02-13 |
| 专利号 | CN101939820A |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN200980104326.6 |
| 公开（公告）号 | CN101939820A |
| IPC 分类号 | H01L21/205 | C23C16/34 | C30B29/38 | H01L33/00 | H01S5/323 |
| 专利代理人 | 张平元 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91973 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 丰田合成株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 冈川广明,工藤广光,中井辉久,等. 外延生长用基板、GaN类半导体膜的制造方法、GaN类半导体膜、GaN类半导体发光元件的制造方法以及GaN类半导体发光元件. CN101939820A[P]. 2011-01-05. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN101939820A.PDF（1282KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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