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半導体レーザ 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2006060258A, 申请日期: 2006-03-02, 公开日期: 2006-03-02
发明人:  佐野 直樹;  菅原 良一;  久野 裕也;  松井 武
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半導体発光素子及びその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1993167198A, 申请日期: 1993-07-02, 公开日期: 1993-07-02
发明人:  中條 直樹;  佐野 日隅;  小泉 玄太;  鈴木 良治;  池上 久也;  皆川 俊一;  酒井 勝彦
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