Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体発光素子及びその製造方法 | |
| 其他题名 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| 中條 直樹; 佐野 日隅; 小泉 玄太; 鈴木 良治; 池上 久也; 皆川 俊一; 酒井 勝彦 | |
| 1993-07-02 | |
| 专利权人 | HITACHI CABLE LTD |
| 公开日期 | 1993-07-02 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【目的】 製造が簡単で寿命の長い半導体発光素子及びその製造方法を提供することを可能とする。 【構成】 選択的にメサストライプ9を形成した半導体基板1上に、少なくとも前記基板と逆の導電型の電流狭窄層2と、第1クラッド層3と、活性層4と、第2クラッド層5の各層を順次積層した構造において、電流狭窄層2をメサストライプの凸部9を除く領域に積層させ、かつ活性層4がメサストライプの凸部9の直上でたわみなく平板状であることを特徴としている。 |
| 其他摘要 | 目的：获得一种制造简单且寿命长的半导体发光元件，以及所述元件的制造方法。组成：在其中导电类型至少与基板1相反的电流限制层2的结构中，第一包层3，有源层4和第二包层5依次层叠在半导体基板1上在选择性地形成台面条9的情况下，电流限制层2层叠在除台面条的突起9之外的区域上，并且有源层4是平坦的而不会在台面条的突起9的正上方弯曲。 |
| 申请日期 | 1991-12-18 |
| 专利号 | JP1993167198A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1991335244 |
| 公开（公告）号 | JP1993167198A |
| IPC 分类号 | H01L21/208 | H01S5/042 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 絹谷 信雄 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74970 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI CABLE LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中條 直樹,佐野 日隅,小泉 玄太,等. 半導体発光素子及びその製造方法. JP1993167198A[P]. 1993-07-02. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1993167198A.PDF（37KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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