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中国科学院西安光学精密机械研究所机构知识库
Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
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半导体激光器专利数... [18]
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2005 [1]
2000 [2]
1999 [2]
1998 [4]
1997 [1]
1996 [1]
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半導体発光素子の製造方法
专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3653408B2, 申请日期: 2005-03-04, 公开日期: 2005-05-25
发明人:
佐々木 和明
;
中村 淳一
;
大山 尚一
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提交时间:2020/01/18
半導体レーザ装置
专利
专利类型: 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 专利号: JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, 申请日期: 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 公开日期: 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31
发明人:
河西 秀典
;
森本 泰司
;
兼岩 進治
;
林 寛
;
宮内 伸幸
;
矢野 盛規
;
塩本 武弘
;
佐々木 和明
;
松本 晃広
;
近藤 正樹
;
山本 三郎
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提交时间:2019/12/23
半導体発光素子の製造方法
专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3067937B2, 申请日期: 2000-05-19, 公开日期: 2000-07-24
发明人:
佐々木 和明
;
山本 修
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提交时间:2020/01/18
半導体発光素子およびその製造方法
专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2911087B2, 申请日期: 1999-04-09, 公开日期: 1999-06-23
发明人:
佐々木 和明
;
山本 修
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提交时间:2019/12/24
半導体レーザ素子
专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999026873A, 申请日期: 1999-01-29, 公开日期: 1999-01-29
发明人:
山本 三郎
;
森本 泰司
;
佐々木 和明
;
近藤 正樹
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提交时间:2020/01/18
半導体発光素子及びその製造方法
专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2856374B2, 申请日期: 1998-11-27, 公开日期: 1999-02-10
发明人:
中津 弘志
;
佐々木 和明
;
山本 修
;
山本 三郎
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提交时间:2020/01/18
半導体レーザ素子
专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2821150B2, 申请日期: 1998-08-28, 公开日期: 1998-11-05
发明人:
山本 三郎
;
森本 泰司
;
佐々木 和明
;
近藤 正樹
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提交时间:2020/01/18
半導体レーザ素子
专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998144996A, 申请日期: 1998-05-29, 公开日期: 1998-05-29
发明人:
須山 尚宏
;
近藤 雅文
;
佐々木 和明
;
高橋 向星
;
細田 昌宏
;
早川 利郎
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提交时间:2020/01/18
半導体レーザ素子およびその製造方法
专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2763781B2, 申请日期: 1998-03-27, 公开日期: 1998-06-11
发明人:
須山 尚宏
;
近藤 雅文
;
佐々木 和明
;
高橋 向星
;
細田 昌宏
;
早川 利郎
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提交时间:2020/01/13
半導体レーザ素子の製造方法
专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2723649B2, 申请日期: 1997-11-28, 公开日期: 1998-03-09
发明人:
河西 秀典
;
山本 修
;
近藤 正樹
;
佐々木 和明
;
松本 晃広
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提交时间:2020/01/13