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半導体発光素子の製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3653408B2, 申请日期: 2005-03-04, 公开日期: 2005-05-25
发明人:  佐々木 和明;  中村 淳一;  大山 尚一
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半導体レーザ装置 专利
专利类型: 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 专利号: JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, 申请日期: 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 公开日期: 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31
发明人:  河西 秀典;  森本 泰司;  兼岩 進治;  林 寛;  宮内 伸幸;  矢野 盛規;  塩本 武弘;  佐々木 和明;  松本 晃広;  近藤 正樹;  山本 三郎
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半導体発光素子の製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3067937B2, 申请日期: 2000-05-19, 公开日期: 2000-07-24
发明人:  佐々木 和明;  山本 修
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半導体発光素子およびその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2911087B2, 申请日期: 1999-04-09, 公开日期: 1999-06-23
发明人:  佐々木 和明;  山本 修
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半導体レーザ素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999026873A, 申请日期: 1999-01-29, 公开日期: 1999-01-29
发明人:  山本 三郎;  森本 泰司;  佐々木 和明;  近藤 正樹
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半導体発光素子及びその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2856374B2, 申请日期: 1998-11-27, 公开日期: 1999-02-10
发明人:  中津 弘志;  佐々木 和明;  山本 修;  山本 三郎
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半導体レーザ素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2821150B2, 申请日期: 1998-08-28, 公开日期: 1998-11-05
发明人:  山本 三郎;  森本 泰司;  佐々木 和明;  近藤 正樹
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半導体レーザ素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998144996A, 申请日期: 1998-05-29, 公开日期: 1998-05-29
发明人:  須山 尚宏;  近藤 雅文;  佐々木 和明;  高橋 向星;  細田 昌宏;  早川 利郎
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半導体レーザ素子およびその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2763781B2, 申请日期: 1998-03-27, 公开日期: 1998-06-11
发明人:  須山 尚宏;  近藤 雅文;  佐々木 和明;  高橋 向星;  細田 昌宏;  早川 利郎
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半導体レーザ素子の製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2723649B2, 申请日期: 1997-11-28, 公开日期: 1998-03-09
发明人:  河西 秀典;  山本 修;  近藤 正樹;  佐々木 和明;  松本 晃広
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