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带有多量子阱结构的光电子半导体芯片 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101809767A, 申请日期: 2010-08-18, 公开日期: 2010-08-18
发明人:  彼得·施陶斯;  马蒂亚斯·彼得;  亚历山大·沃尔特
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