带有多量子阱结构的光电子半导体芯片

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	带有多量子阱结构的光电子半导体芯片
其他题名	带有多量子阱结构的光电子半导体芯片
	彼得·施陶斯; 马蒂亚斯·彼得; 亚历山大·沃尔特
	2010-08-18
专利权人	欧司朗光电半导体有限公司
公开日期	2010-08-18
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明提出了一种光电子半导体芯片，其具有有源区(20)，该有源区包含设计用于产生电磁辐射的多量子阱结构，该多量子阱结构具有多个相继的量子阱层(210，220，230)。多量子阱结构具有至少一个第一量子阱层(210)，其被n导电地掺杂并且设置在与所述第一量子阱层(210)邻接的n导电地掺杂的两个势垒层(250)之间。多量子阱结构具有第二量子阱层(220)，其未掺杂并且设置在与所述第二量子阱层邻接的两个势垒层(250，260)之间，其中一个势垒层n导电地掺杂而另一个未掺杂。此外，多量子阱结构具有至少一个第三量子阱层(230)，其未掺杂并且设置在与所述第三量子阱层邻接的未掺杂的两个势垒层(260)之间。
其他摘要	本发明提出了一种光电子半导体芯片，其具有有源区(20)，该有源区包含设计用于产生电磁辐射的多量子阱结构，该多量子阱结构具有多个相继的量子阱层(210，220，230)。多量子阱结构具有至少一个第一量子阱层(210)，其被n导电地掺杂并且设置在与所述第一量子阱层(210)邻接的n导电地掺杂的两个势垒层(250)之间。多量子阱结构具有第二量子阱层(220)，其未掺杂并且设置在与所述第二量子阱层邻接的两个势垒层(250，260)之间，其中一个势垒层n导电地掺杂而另一个未掺杂。此外，多量子阱结构具有至少一个第三量子阱层(230)，其未掺杂并且设置在与所述第三量子阱层邻接的未掺杂的两个势垒层(260)之间。
申请日期	2008-09-12
专利号	CN101809767A
专利状态	授权
申请号	CN200880108978.2
公开（公告）号	CN101809767A
IPC 分类号	H01L33/00 \| H01S5/343 \| H01L33/04 \| H01L33/06 \| H01L33/32
专利代理人	陈炜 \| 许伟群
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92052
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	欧司朗光电半导体有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	彼得·施陶斯,马蒂亚斯·彼得,亚历山大·沃尔特. 带有多量子阱结构的光电子半导体芯片. CN101809767A[P]. 2010-08-18.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN101809767A.PDF（563KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文