中文版 | English

在结果中检索

OPT OpenIR

浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助

已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
氮化镓系化合物半导体激光元件的制造方法及氮化镓系化合物半导体激光元件 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN101147303B, 申请日期: 2010-05-19, 公开日期: 2010-05-19
发明人:  松下保彦;  中泽崇一
Adobe PDF(725Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/24