氮化镓系化合物半导体激光元件的制造方法及氮化镓系化合物半导体激光元件

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	氮化镓系化合物半导体激光元件的制造方法及氮化镓系化合物半导体激光元件
其他题名	氮化镓系化合物半导体激光元件的制造方法及氮化镓系化合物半导体激光元件
	松下保彦; 中泽崇一
	2010-05-19
专利权人	三洋电机株式会社
公开日期	2010-05-19
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	本发明所述氮化镓系化合物半导体激光元件的制造方法，其特征在于，作为氮化镓衬底的结晶面，使用在(0001)Ga面的方向上以绝对值倾斜0.16度以上5.0度以下的面，或者使用将向(0001)Ga面的方向的偏离角度作为A、向(0001)Ga面的方向的偏离角度作为B时(A2+B2)的平方根为0.17以上、7.0以下的面，且以0.5/秒以上5.0/秒以下的生长速度使活性层生长。由此，即使使用偏离角度大的氮化镓衬底，也能够提供斜率效率大、元件电阻减少、驱动电压降低、且制造合格率高、偏差少、能够发出高输出蓝紫色光的氮化镓系化合物半导体激光元件的制造方法以及由该方法制造的化合物半导体激光元件。
其他摘要	本发明所述氮化镓系化合物半导体激光元件的制造方法，其特征在于，作为氮化镓衬底的结晶面，使用在(0001)Ga面的<1-100>方向上以绝对值倾斜0.16度以上5.0度以下的面，或者使用将向(0001)Ga面的<1-100>方向的偏离角度作为A、向(0001)Ga面的<11-20>方向的偏离角度作为B时(A2+B2)的平方根为0.17以上、7.0以下的面，且以0.5/秒以上5.0/秒以下的生长速度使活性层生长。由此，即使使用偏离角度大的氮化镓衬底，也能够提供斜率效率大、元件电阻减少、驱动电压降低、且制造合格率高、偏差少、能够发出高输出蓝紫色光的氮化镓系化合物半导体激光元件的制造方法以及由该方法制造的化合物半导体激光元件。
授权日期	2010-05-19
申请日期	2006-03-31
专利号	CN101147303B
专利状态	失效
申请号	CN200680009593.1
公开（公告）号	CN101147303B
IPC 分类号	H01S5/343 \| H01L21/205
专利代理人	高龙鑫
代理机构	隆天国际知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/40141
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	三洋电机株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	松下保彦,中泽崇一. 氮化镓系化合物半导体激光元件的制造方法及氮化镓系化合物半导体激光元件. CN101147303B[P]. 2010-05-19.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN101147303B.PDF（725KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文