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| III族氮化物半导体激光器元件及III族氮化物半导体激光器元件的制作方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN102549860B, 申请日期: 2014-10-01, 公开日期: 2014-10-01
发明人: 善积祐介; 盐谷阳平; 京野孝史; 足立真宽; 德山慎司; 住友隆道; 上野昌纪; 池上隆俊; 片山浩二; 中村孝夫
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| III族氮化物半导体激光器元件及III族氮化物半导体激光器元件的制作方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN102549859B, 申请日期: 2014-08-06, 公开日期: 2014-08-06
发明人: 善积祐介; 盐谷阳平; 京野孝史; 足立真宽; 德山慎司; 住友隆道; 上野昌纪; 池上隆俊; 片山浩二; 中村孝夫
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| III族氮化物半导体激光器元件及其制作方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN102025104B, 申请日期: 2014-07-02, 公开日期: 2014-07-02
发明人: 善积祐介; 盐谷阳平; 京野孝史; 足立真宽; 秋田胜史; 上野昌纪; 住友隆道; 德山慎司; 片山浩二; 中村孝夫; 池上隆俊
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| GaN基半导体光器件、GaN基半导体光器件的制作方法、外延晶片及GaN基半导体膜的生长方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN103560396A, 申请日期: 2014-02-05, 公开日期: 2014-02-05
发明人: 盐谷阳平; 善积祐介; 上野昌纪; 秋田胜史; 京野孝史; 住友隆道; 中村孝夫
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| 生体情報分析装置、撮像装置、光源装置および生体情報分析装置の動作方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2014014485A, 申请日期: 2014-01-30, 公开日期: 2014-01-30
发明人: 赤羽 良啓; 中村 孝夫; 松浦 尚; 池上 隆俊; 粟津 邦男; 間 久直
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| III族氮化物半导体激光二极管及III族氮化物半导体激光二极管的制作方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN102422497B, 申请日期: 2013-09-18, 公开日期: 2013-09-18
发明人: 盐谷阳平; 善积祐介; 京野孝史; 秋田胜史; 上野昌纪; 住友隆道; 中村孝夫
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| Ⅲ族氮化物半导体激光器元件及Ⅲ族氮化物半导体激光器元件的制作方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN101984774B, 申请日期: 2013-02-13, 公开日期: 2013-02-13
发明人: 善积祐介; 盐谷阳平; 京野孝史; 足立真宽; 秋田胜史; 上野昌纪; 住友隆道; 德山慎司; 片山浩二; 中村孝夫; 池上隆俊
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| 氮化物类半导体光元件、用于氮化物类半导体光元件的外延晶片及制造半导体发光元件的方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN101874309B, 申请日期: 2013-01-30, 公开日期: 2013-01-30
发明人: 上野昌纪; 盐谷阳平; 京野孝史; 秋田胜史; 善积祐介; 住友隆道; 中村孝夫
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| Ⅲ族氮化物半导体激光元件、及制作Ⅲ族氮化物半导体激光元件的方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN102714397A, 申请日期: 2012-10-03, 公开日期: 2012-10-03
发明人: 善积祐介; 高木慎平; 盐谷阳平; 京野孝史; 足立真宽; 上野昌纪; 住友隆道; 德山慎司; 片山浩二; 中村孝夫; 池上隆俊
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| III族氮化物半导体光元件、外延衬底 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN102474076A, 申请日期: 2012-05-23, 公开日期: 2012-05-23
发明人: 善积祐介; 盐谷阳平; 秋田胜史; 上野昌纪; 京野孝史; 中村孝夫
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