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| 半導体レーザ素子 专利 专利类型: 授权发明, 专利号: JP3634458B2, 申请日期: 2005-01-07, 公开日期: 2005-03-30 发明人: 上谷 ▲高▼弘; 庄野 昌幸
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| 半導体レーザ素子とその製造方法 专利 专利类型: 授权发明, 专利号: JP3291431B2, 申请日期: 2002-03-22, 公开日期: 2002-06-10 发明人: ▲広▼山 良治; 上谷 ▲高▼弘; 太田 潔; 米田 幸司; 庄野 昌幸; 茨木 晃; 吉年 慶一
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| 半導体レ—ザ装置及びその製造方法 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999346033A, 申请日期: 1999-12-14, 公开日期: 1999-12-14 发明人: 池上 隆俊; 上谷 高弘
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| 半導体レーザ素子 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998012967A, 申请日期: 1998-01-16, 公开日期: 1998-01-16 发明人: 上谷 ▲高▼弘; ▲廣▼山 良治
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| 半導体レーザ素子 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: JP1997321385A, 申请日期: 1997-12-12, 公开日期: 1997-12-12 发明人: ▲広▼山 良治; 上谷 ▲高▼弘; 太田 潔; 米田 幸司; 庄野 昌幸; 茨木 晃; 吉年 慶一
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| 半導体レーザ素子 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: JP1996264902A, 申请日期: 1996-10-11, 公开日期: 1996-10-11 发明人: 庄野 昌幸; 上谷 ▲高▼弘; 別所 靖之; ▲広▼山 良治; 西田 豊三
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