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氮化物类半导体发光二极管、氮化物类半导体激光元件及其制造方法和氮化物类半导体层的形成方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN103199433A, 申请日期: 2013-07-10, 公开日期: 2013-07-10
发明人:  广山良治;  三宅泰人;  久纳康光;  别所靖之;  畑雅幸
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氮化物类半导体发光元件、氮化物类半导体激光元件、氮化物类半导体发光二极管及其制造方法和氮化物类半导体层的形成方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN101809833B, 申请日期: 2012-05-30, 公开日期: 2012-05-30
发明人:  广山良治;  三宅泰人;  久纳康光;  别所靖之;  畑雅幸
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半导体激光元件 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN101355232B, 申请日期: 2012-01-11, 公开日期: 2012-01-11
发明人:  广山良治;  野村康彦;  畑雅幸;  三宅泰人
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窒化物系半導体素子、光装置および窒化物系半導体素子の製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2010206184A, 申请日期: 2010-09-16, 公开日期: 2010-09-16
发明人:  三宅 泰人;  久納 康光;  畑 雅幸
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