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半導体レーザ素子とその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3291431B2, 申请日期: 2002-03-22, 公开日期: 2002-06-10
发明人:  ▲広▼山 良治;  上谷 ▲高▼弘;  太田 潔;  米田 幸司;  庄野 昌幸;  茨木 晃;  吉年 慶一
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半導体レーザ素子とその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3238971B2, 申请日期: 2001-10-05, 公开日期: 2001-12-17
发明人:  ▲広▼山 良治
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半導体レーザ素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3138095B2, 申请日期: 2000-12-08, 公开日期: 2001-02-26
发明人:  本多 正治;  庄野 昌幸;  池上 隆俊;  別所 靖之;  ▲広▼山 良治;  賀勢 裕之
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半導体レーザ素子及び光学記録媒体駆動装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998135569A, 申请日期: 1998-05-22, 公开日期: 1998-05-22
发明人:  庄野 昌幸;  ▲広▼山 良治;  米田 幸司;  西田 豊三;  別所 靖之
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半導体レーザ素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1997321385A, 申请日期: 1997-12-12, 公开日期: 1997-12-12
发明人:  ▲広▼山 良治;  上谷 ▲高▼弘;  太田 潔;  米田 幸司;  庄野 昌幸;  茨木 晃;  吉年 慶一
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半導体レーザ素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1997064472A, 申请日期: 1997-03-07, 公开日期: 1997-03-07
发明人:  ▲広▼山 良治;  西田 豊三;  賀勢 裕之;  伊藤 順子
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半導体レーザ素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1996264902A, 申请日期: 1996-10-11, 公开日期: 1996-10-11
发明人:  庄野 昌幸;  上谷 ▲高▼弘;  別所 靖之;  ▲広▼山 良治;  西田 豊三
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半導体レーザ素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1996181385A, 申请日期: 1996-07-12, 公开日期: 1996-07-12
发明人:  本多 正治;  庄野 昌幸;  池上 隆俊;  別所 靖之;  ▲広▼山 良治;  賀勢 裕之
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半導体レーザ素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1995022696A, 申请日期: 1995-01-24, 公开日期: 1995-01-24
发明人:  本多 正治;  庄野 昌幸;  池上 隆俊;  別所 靖之;  ▲広▼山 良治;  賀勢 裕之
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