中文版 | English

在结果中检索

OPT OpenIR

浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助

限定条件    
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
氮化物半导体发光元件、外延基板及氮化物半导体发光元件的制作方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN102292884A, 申请日期: 2011-12-21, 公开日期: 2011-12-21
发明人:  京野孝史;  善积祐介;  盐谷阳平;  秋田胜史;  上野昌纪;  住友隆道
Adobe PDF(2559Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2020/01/18
Broadband near-infrared emission in Tm3+-Dy3+ codoped amorphous chalcohalide films fabricated by pulsed laser deposition 期刊论文
OPTICS EXPRESS, 2011, 卷号: 19, 期号: 27, 页码: 26529-26535
作者:  Yang, Senlin;  Wang, Xuefeng;  Guo, Haitao;  Dong, Guoping;  Peng, Bo;  Qiu, Jianrong;  Zhang, Rong;  Shi, Yi
Adobe PDF(1071Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：588/4  |  提交时间：2012/06/29
一种单纤双向收发模块及其封装 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN102213807A, 申请日期: 2011-10-12, 公开日期: 2011-10-12
发明人:  邱建雄;  柯士品;  陈宏源
Adobe PDF(886Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2020/01/18
一种单纤双向收发模块及其封装 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN102193156A, 申请日期: 2011-09-21, 公开日期: 2011-09-21
发明人:  邱建雄;  柯士品;  陈宏源
Adobe PDF(539Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2020/01/13
制造氮化物基半导体发光元件的方法和制造外延晶片的方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN102187482A, 申请日期: 2011-09-14, 公开日期: 2011-09-14
发明人:  住友隆道;  秋田胜史;  京野孝史;  善积祐介
Adobe PDF(1416Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2020/01/18
氮化物系半导体发光器件 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN102150288A, 申请日期: 2011-08-10, 公开日期: 2011-08-10
发明人:  京野孝史;  盐谷阳平;  善积祐介;  秋田胜史;  上野昌纪;  住友隆道;  足立真宽;  德山慎司
Adobe PDF(1092Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2020/01/18
第ＩＩＩ族氮化物半導體雷射二極體 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: TW201117501A, 申请日期: 2011-05-16, 公开日期: 2011-05-16
发明人:  秋田勝史;  鹽谷陽平;  京野孝史;  足立真寬;  德山慎司;  善積祐介;  住友隆道;  上野昌紀
Adobe PDF(1205Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2020/01/18
氮化鎵系半導體雷射二極體 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: TW201115869A, 申请日期: 2011-05-01, 公开日期: 2011-05-01
发明人:  住友隆道;  鹽谷陽平;  善積祐介;  上野昌紀;  秋田勝史;  京野孝史
Adobe PDF(1494Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2020/01/18