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应变平衡有源区梯度势阱层半导体激光器结构 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN104795729A, 申请日期: 2015-07-22, 公开日期: 2015-07-22
发明人:  许并社;  董海亮;  马淑芳;  梁建;  贾虎生;  刘旭光
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应变平衡有源区梯度势阱层半导体激光器结构 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN204376193U, 申请日期: 2015-06-03, 公开日期: 2015-06-03
发明人:  许并社;  董海亮;  马淑芳;  梁建;  贾虎生;  刘旭光
Adobe PDF(640Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：87/0  |  提交时间：2019/12/24