应变平衡有源区梯度势阱层半导体激光器结构

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	应变平衡有源区梯度势阱层半导体激光器结构
其他题名	应变平衡有源区梯度势阱层半导体激光器结构
	许并社; 董海亮; 马淑芳; 梁建; 贾虎生; 刘旭光
	2015-06-03
专利权人	太原理工大学
公开日期	2015-06-03
授权国家	中国
专利类型	实用新型
摘要	本实用新型属于半导体光电子学技术领域，具体公开了一种应变平衡有源区梯度势阱层半导体激光器结构，该结构包括采用金属有机化学气相沉积方法在衬底上至下而上依次外延生长的缓冲层、下匹配层、下限制层、下过渡层、下波导层、多量子阱层、上波导层、上过渡层、上限制层、上匹配层和电极接触层。本实用新型是在改善多量子阱层的势垒层和势阱层材料突变异质界面质量、降低晶格常数应变失配率过大，减少量子阱有源区总的累积应变失配率，避免量子阱异质界面发生晶格弛豫现象，从而对降低激光器的阈值电流、增大输出功率，提高光电转换效率以及延长寿命可靠性等进行改进，得到的新型结构材料体系的半导体激光器。
其他摘要	本实用新型属于半导体光电子学技术领域，具体公开了一种应变平衡有源区梯度势阱层半导体激光器结构，该结构包括采用金属有机化学气相沉积方法在衬底上至下而上依次外延生长的缓冲层、下匹配层、下限制层、下过渡层、下波导层、多量子阱层、上波导层、上过渡层、上限制层、上匹配层和电极接触层。本实用新型是在改善多量子阱层的势垒层和势阱层材料突变异质界面质量、降低晶格常数应变失配率过大，减少量子阱有源区总的累积应变失配率，避免量子阱异质界面发生晶格弛豫现象，从而对降低激光器的阈值电流、增大输出功率，提高光电转换效率以及延长寿命可靠性等进行改进，得到的新型结构材料体系的半导体激光器。
授权日期	2015-06-03
申请日期	2015-02-14
专利号	CN204376193U
专利状态	授权
申请号	CN201520106339.X
公开（公告）号	CN204376193U
IPC 分类号	H01S5/343
专利代理人	朱源
代理机构	太原科卫专利事务所(普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42436
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	太原理工大学
推荐引用方式 GB/T 7714	许并社,董海亮,马淑芳,等. 应变平衡有源区梯度势阱层半导体激光器结构. CN204376193U[P]. 2015-06-03.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN204376193U.PDF（640KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文