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高功率腔内倍频半导体薄片激光器 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN203503971U, 申请日期: 2014-03-26, 公开日期: 2014-03-26
发明人:  宋晏蓉;  张鹏;  张晓;  于振华;  田金荣
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高功率腔内倍频半导体薄片激光器 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN203503971U, 申请日期: 2014-03-26, 公开日期: 2014-03-26
发明人:  宋晏蓉;  张鹏;  张晓;  于振华;  田金荣
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石墨烯锁模光泵薄片半导体激光器 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN102769249A, 申请日期: 2012-11-07, 公开日期: 2012-11-07
发明人:  宋晏蓉;  于振华;  张晓;  田金荣;  张鹏
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高功率腔内倍频半导体薄片激光器 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN102570290A, 申请日期: 2012-07-11, 公开日期: 2012-07-11
发明人:  宋晏蓉;  张鹏;  张晓;  于振华;  田金荣
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半导体激光器的散热装置 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN201576886U, 申请日期: 2010-09-08, 公开日期: 2010-09-08
发明人:  宋晏蓉;  张鹏;  田金荣;  华玲玲;  张晓;  张新平
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光泵锁模薄片半导体激光器 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101741012A, 申请日期: 2010-06-16, 公开日期: 2010-06-16
发明人:  宋晏蓉;  张鹏;  张晓;  张志刚;  田金荣;  张新平
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制备III族氮化物半导体的方法及III族氮化物半导体器件 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1413358A, 申请日期: 2003-04-23, 公开日期: 2003-04-23
发明人:  小池正好;  小岛彰;  平松敏夫;  手钱雄太
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