高功率腔内倍频半导体薄片激光器

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	高功率腔内倍频半导体薄片激光器
其他题名	高功率腔内倍频半导体薄片激光器
	宋晏蓉; 张鹏; 张晓; 于振华; 田金荣
	2014-03-26
专利权人	北京工业大学
公开日期	2014-03-26
授权国家	中国
专利类型	实用新型
摘要	本实用新型涉及高功率腔内倍频半导体薄片激光器，属于半导体激光器领域。本实用新型采用散热窗口改善激光器的热效应，用滤波装置稳定基频光频率，压窄基频光线宽，提高腔内倍频效率。抽运光经准直聚焦后作用在半导体薄片增益介质（4）上，半导体薄片增益介质上键合了一块高热导率且对抽运光和激光都透明的散热窗口（5）。增益介质中的光生载流子在量子阱（14）中发生受激辐射，由后端镜（8）、输出耦合镜（7）、及半导体薄片增益介质底部的布拉格反射镜（16）构成激光腔产生基频激光，由非线性晶体（10）产生倍频激光（11），其特征在于：激光腔内设置有滤波装置（9），有效稳定基频光的频率，数倍地压窄基频光线宽，从而提高倍频效率。
其他摘要	本实用新型涉及高功率腔内倍频半导体薄片激光器，属于半导体激光器领域。本实用新型采用散热窗口改善激光器的热效应，用滤波装置稳定基频光频率，压窄基频光线宽，提高腔内倍频效率。抽运光经准直聚焦后作用在半导体薄片增益介质（4）上，半导体薄片增益介质上键合了一块高热导率且对抽运光和激光都透明的散热窗口（5）。增益介质中的光生载流子在量子阱（14）中发生受激辐射，由后端镜（8）、输出耦合镜（7）、及半导体薄片增益介质底部的布拉格反射镜（16）构成激光腔产生基频激光，由非线性晶体（10）产生倍频激光（11），其特征在于：激光腔内设置有滤波装置（9），有效稳定基频光的频率，数倍地压窄基频光线宽，从而提高倍频效率。
申请日期	2013-05-01
专利号	CN203503971U
专利状态	失效
申请号	CN201320230506.2
公开（公告）号	CN203503971U
IPC 分类号	H01S5/024 \| H01S5/06
专利代理人	刘萍
代理机构	北京思海天达知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49821
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	北京工业大学
推荐引用方式 GB/T 7714	宋晏蓉,张鹏,张晓,等. 高功率腔内倍频半导体薄片激光器. CN203503971U[P]. 2014-03-26.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN203503971U.PDF（605KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文