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注入锁定半导体激光器 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN108963751A, 申请日期: 2018-12-07, 公开日期: 2018-12-07
发明人:  冯琛;  张靖;  林灵;  段利华;  吴寸雪
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一种采用电化学腐蚀技术来制作InP基SLD 电流非注入吸收区的方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN107706740A, 申请日期: 2018-02-16, 公开日期: 2018-02-16
发明人:  张晶;  祝子翔;  乔忠良;  高欣;  薄报学;  李辉;  王宪涛;  魏志鹏;  马晓辉;  孙春明;  陈锋
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一种双波长可调谐激光器及其系统 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN206864865U, 申请日期: 2018-01-09, 公开日期: 2018-01-09
发明人:  蔡红志;  李小兵;  徐晨峰
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