一种采用电化学腐蚀技术来制作InP基SLD 电流非注入吸收区的方法

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	一种采用电化学腐蚀技术来制作InP基SLD 电流非注入吸收区的方法
其他题名	一种采用电化学腐蚀技术来制作InP基SLD 电流非注入吸收区的方法
	张晶; 祝子翔; 乔忠良; 高欣; 薄报学; 李辉; 王宪涛; 魏志鹏; 马晓辉; 孙春明; 陈锋
	2018-02-16
专利权人	长春理工大学
公开日期	2018-02-16
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	一种采用电化学腐蚀技术制作InP基SLD电流非注入吸收区的方法。已知采用传统质子轰击办法来制作SLD电流非注入吸收区不足之处是过小计量的轰击效果不明显、不稳定或者过强轰击容易造成器件损坏。传统质子轰击办法来制作SLD电流非注入区对质子轰击工艺要求过高，器件的成品率过低。本发明是一种采用电化学腐蚀技术制作InP基SLD电流非注入吸收区的方法，器件整体结构由脊型台面和深纳米洞吸收区组成，在非出射端面处制作深纳米洞吸收区以达到抑制F‑P振荡的目的，吸收区经过电化学腐蚀等工艺制作而成，该吸收区的制作对腐蚀深度和腐蚀形状没有过多要求，仅需要穿过整个外延层可达到良好的光吸收效果。
其他摘要	一种采用电化学腐蚀技术制作InP基SLD电流非注入吸收区的方法。已知采用传统质子轰击办法来制作SLD电流非注入吸收区不足之处是过小计量的轰击效果不明显、不稳定或者过强轰击容易造成器件损坏。传统质子轰击办法来制作SLD电流非注入区对质子轰击工艺要求过高，器件的成品率过低。本发明是一种采用电化学腐蚀技术制作InP基SLD电流非注入吸收区的方法，器件整体结构由脊型台面和深纳米洞吸收区组成，在非出射端面处制作深纳米洞吸收区以达到抑制F‑P振荡的目的，吸收区经过电化学腐蚀等工艺制作而成，该吸收区的制作对腐蚀深度和腐蚀形状没有过多要求，仅需要穿过整个外延层可达到良好的光吸收效果。
申请日期	2017-09-29
专利号	CN107706740A
专利状态	申请中
申请号	CN201710902588.3
公开（公告）号	CN107706740A
IPC 分类号	H01S5/323
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92161
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	长春理工大学
推荐引用方式 GB/T 7714	张晶,祝子翔,乔忠良,等. 一种采用电化学腐蚀技术来制作InP基SLD 电流非注入吸收区的方法. CN107706740A[P]. 2018-02-16.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN107706740A.PDF（76KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文