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一种长波长锑化物半导体激光器结构 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN102208757B, 申请日期: 2012-10-10, 公开日期: 2012-10-10
发明人:  李占国;  尤明慧;  刘国军;  高欣;  李林;  李辉;  芦鹏;  王勇;  邹永刚;  乔忠良;  李梅;  曲轶;  薄报学
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半导体激光器外壳 专利
专利类型: 外观设计, 专利号: CN301872623S, 申请日期: 2012-03-28, 公开日期: 2012-03-28
发明人:  王智勇;  曹银花;  刘友强;  郝亮;  许并社;  史元魁;  陈玉士;  王有顺
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