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半導体レーザ装置及びその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2009277919A, 申请日期: 2009-11-26, 公开日期: 2009-11-26
发明人:  左文字 克哉
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半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2009081373A, 申请日期: 2009-04-16, 公开日期: 2009-04-16
发明人:  左文字 克哉;  山田 篤志;  石田 昌宏
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