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半導体レーザ素子およびその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2008294421A, 申请日期: 2008-12-04, 公开日期: 2008-12-04
发明人:  竹内 邦生;  久納 康光;  畑 雅幸
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半導体レーザ素子の製造方法および半導体レーザ素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2008252069A, 申请日期: 2008-10-16, 公开日期: 2008-10-16
发明人:  畑 雅幸;  久納 康光;  別所 靖之
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氮化物类半导体元件及其制造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101202421A, 申请日期: 2008-06-18, 公开日期: 2008-06-18
发明人:  别所靖之;  野村康彦;  畑雅幸
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発光素子およびその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP4093943B2, 申请日期: 2008-03-14, 公开日期: 2008-06-04
发明人:  畑 雅幸;  廣山 良治;  國里 竜也;  蔵本 慶一;  平野 均
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