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氮化镓晶体的制造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1255583C, 申请日期: 2006-05-10, 公开日期: 2006-05-10
发明人:  油利正昭;  上田哲三;  马场孝明
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半導体素子及びその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3792041B2, 申请日期: 2006-04-14, 公开日期: 2006-06-28
发明人:  橋本 忠朗;  油利 正昭;  今藤 修;  石田 昌宏
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