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複合光デバイスの製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3752369B2, 申请日期: 2005-12-16, 公开日期: 2006-03-08
发明人:  鈴木 大輔;  木村 達也;  瀧口 透
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半導体光素子の製造方法,及び半導体光素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3665911B2, 申请日期: 2005-04-15, 公开日期: 2005-06-29
发明人:  木村 達也;  石田 多華生;  鈴木 大輔
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