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化合物半導体発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999289109A, 申请日期: 1999-10-19, 公开日期: 1999-10-19
发明人:  細羽弘之;  須山尚宏;  ▲吉▼田 智彦;  兼岩 進治;  近藤 雅文;  幡 俊雄;  大林 健
Adobe PDF(41Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：78/0  |  提交时间：2020/01/18
化合物半導体発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999284229A, 申请日期: 1999-10-15, 公开日期: 1999-10-15
发明人:  細羽弘之;  須山尚宏;  ▲吉▼田 智彦;  兼岩 進治;  近藤 雅文;  幡 俊雄;  大林 健
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半導体発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999261154A, 申请日期: 1999-09-24, 公开日期: 1999-09-24
发明人:  深野 秀樹;  野口 悦男;  近藤 進
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半導体レーザ素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2975473B2, 申请日期: 1999-09-03, 公开日期: 1999-11-10
发明人:  大林 健;  須山 尚宏;  ▲吉▼田 智彦;  近藤 雅文;  細羽 弘之;  兼岩 進治;  幡 俊雄
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半導体光素子とその作製方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999145557A, 申请日期: 1999-05-28, 公开日期: 1999-05-28
发明人:  奥 哲;  廣野 卓夫;  近藤 進;  野口 悦男
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半導体レーザ素子およびその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2908124B2, 申请日期: 1999-04-02, 公开日期: 1999-06-21
发明人:  細羽 弘之;  須山 尚宏;  ▲吉▼田 智彦;  兼岩 進治;  近藤 雅文;  幡 俊雄;  大林 健
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半導体光結合回路及びその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999087844A, 申请日期: 1999-03-30, 公开日期: 1999-03-30
发明人:  吉本 直人;  川口 悦弘;  奥 哲;  東盛 裕一;  近藤 進;  野口 悦男;  赤淵 忠之
Adobe PDF(73Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：95/0  |  提交时间：2019/12/31