半導体光素子とその作製方法

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	半導体光素子とその作製方法
其他题名	半導体光素子とその作製方法
	奥哲; 廣野卓夫; 近藤進; 野口悦男
	1999-05-28
专利权人	日本電信電話株式会社
公开日期	1999-05-28
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】レーザ共振器の端面と共振器内の屈折率周期構造の相互の位置関係を厳密に規定する。【解決手段】基板1上に、活性層2、クラッド層3を形成する。SiO2膜11上に幅a、周期bのライン-スペースパタン12を形成する。両側には窓領域13を形成する。ライン-スペースパタン12をSiO2膜11に転写し、エッチングマスク14、エッチングマスク窓領域15を形成する。半導体基板に対し反応性ビームエッチングを行い、溝4を形成する。溝4の領域は、窓領域15に比べて微細なため、マイクロローディング効果が発現し、窓領域15に比べてエッチング速度が低下する。こうして、溝4の形成の際に、レーザ共振器の端面となる加工側壁5が同時に形成される。
其他摘要	要解决的问题：严格规定激光谐振器端面与谐振器中折射率周期结构之间的位置关系。解决方案：在半导体衬底1上依次形成有源层2，包层3和SiO2膜11之后，以规则间隔（b）布置具有宽度（a）的留置线的线空间图案12在SiO2膜11上形成窗口区域13，在SiO2膜11的两侧形成窗口区域13.然后，通过将图案12转移到SiO2膜11上，形成蚀刻掩模14和蚀刻掩模窗口区域15。通过在衬底上执行反应束蚀刻来形成。由于凹槽4的凹陷比窗口区域15窄，因此表现出微负载效应，并且衬底1的蚀刻速率变得比窗口区域15的蚀刻速率慢。因此，成为端面的加工侧壁5在形成凹槽4的同时形成激光谐振器的一部分。
主权项	-
申请日期	1997-11-13
专利号	JP1999145557A
专利状态	失效
申请号	JP1997312482
公开（公告）号	JP1999145557A
IPC 分类号	H04H60/27 \| H04H60/95 \| H04H20/62 \| H04H20/74 \| G10K15/04 \| G10K15/02 \| H04H20/12 \| H01S5/12 \| G10L19/00 \| H01S \| G11B31/00 \| H04H20/00 \| H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	山川政樹
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64925
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	日本電信電話株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	奥哲,廣野卓夫,近藤進,等. 半導体光素子とその作製方法. JP1999145557A[P]. 1999-05-28.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1999145557A.PDF（52KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文