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電流狭窄型窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998335749A, 申请日期: 1998-12-18, 公开日期: 1998-12-18
发明人:  幡 俊雄;  菅原 聰;  花岡 大介
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