OPT OpenIR

浏览/检索结果: 共14条,第1-10条 帮助

限定条件    
已选(0)清除 条数/页:   排序方式:
光学传感器和用于光学检测的检测器 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN109564927A, 申请日期: 2019-04-02, 公开日期: 2019-04-02
发明人:  W·赫尔梅斯;  S·瓦鲁施;  R·森德;  I·布鲁德;  B·福伊尔施泰因
Adobe PDF(2656Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:145/0  |  提交时间:2019/12/30
GaAs衬底ZnO微米棒端面出光的发光器件及其制备方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN104953469B, 申请日期: 2018-02-09, 公开日期: 2018-02-09
发明人:  杜国同;  史志锋;  董鑫;  张源涛;  张宝林
Adobe PDF(650Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:60/0  |  提交时间:2019/12/26
Optical device and method for manufacturing optical device 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: EP2538252A2, 申请日期: 2012-12-26, 公开日期: 2012-12-26
发明人:  IDE, MASAFUMI;  KOMIYAMA, TAKEO;  NOZAKI, TAKAAKI
Adobe PDF(526Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:46/0  |  提交时间:2019/12/30
Hybrid beam deposition system and methods for fabricating metal oxide-ZnO films, p-type ZnO films, and ZnO-based II-VI compound semiconductor devices 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US7824955, 申请日期: 2010-11-02, 公开日期: 2010-11-02
发明人:  WHITE, HENRY W.;  RYU, YUNGRYEL;  LEE, TAE-SEOK
Adobe PDF(367Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:25/0  |  提交时间:2019/12/24
Semiconductor device in which zinc oxide is used as a semiconductor material and method for manufacturing the semiconductor device 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US7501293, 申请日期: 2009-03-10, 公开日期: 2009-03-10
发明人:  ITO, YOSHIHIRO;  KADOTA, MICHIO
Adobe PDF(940Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:20/0  |  提交时间:2019/12/24
Light emitting diode based light source with cooling liquid arrangement, and projection-type display apparatus 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: EP1475846A2, 申请日期: 2004-11-10, 公开日期: 2004-11-10
发明人:  NAGATA, MITSUO SEIKO EPSON CORPORATION;  IKEBE, TOMO SEIKO EPSON CORPORATION;  TAKEDA, TAKASHI SEIKO EPSON CORPORATION
Adobe PDF(587Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:61/0  |  提交时间:2019/12/30
Light emitting diode based light source with cooling liquid arrangement, and projection-type display apparatus 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: EP1475846A2, 申请日期: 2004-11-10, 公开日期: 2004-11-10
发明人:  NAGATA, MITSUO SEIKO EPSON CORPORATION;  IKEBE, TOMO SEIKO EPSON CORPORATION;  TAKEDA, TAKASHI SEIKO EPSON CORPORATION
Adobe PDF(587Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:69/0  |  提交时间:2019/12/30
Nitride semiconductor device comprising bonded substrate and fabrication method of the same 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: EP1385215A2, 申请日期: 2004-01-28, 公开日期: 2004-01-28
发明人:  NAGAHAMA, SHINICHI;  SANO, MASAHIKO;  YANAMOTO, TOMOYA;  SAKAMOTO, KEIJI;  YAMAMOTO, MASASHI;  MORITA, DAISUKE
Adobe PDF(1090Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:73/0  |  提交时间:2019/12/30
Nitride semiconductor device comprising bonded substrate and fabrication method of the same 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: EP1385215A2, 申请日期: 2004-01-28, 公开日期: 2004-01-28
发明人:  NAGAHAMA, SHINICHI;  SANO, MASAHIKO;  YANAMOTO, TOMOYA;  SAKAMOTO, KEIJI;  YAMAMOTO, MASASHI;  MORITA, DAISUKE
Adobe PDF(1090Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:72/0  |  提交时间:2019/12/30
Semiconductor laser and method of manufacturing same 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: EP0924819A2, 申请日期: 1999-06-23, 公开日期: 1999-06-23
发明人:  UENO, YOSHIYASU C/O NEC CORPORATION;  CHIDA, HIROAKI C/O NEC CORPORATION
Adobe PDF(817Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:52/0  |  提交时间:2020/01/13