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一种基于侧向P-I-N结构的电吸收激光器及其制造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN106253055B, 申请日期: 2019-08-20, 公开日期: 2019-08-20
发明人:  万枫;  熊永华;  岳爱文;  王任凡;  曾笔鉴
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一种基于侧向P-I-N结构的电吸收激光器及其制造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN106253055B, 申请日期: 2019-08-20, 公开日期: 2019-08-20
发明人:  万枫;  熊永华;  岳爱文;  王任凡;  曾笔鉴
Adobe PDF(1414Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：115/0  |  提交时间：2019/12/26
全光固体超快探测芯片、全光固体超快探测器及其探测方法 专利
专利类型: 发明专利, 专利号: CN201910594755.1, 申请日期: 2019-07-03, 公开日期: 2019-11-01
发明人:  汪韬;  高贵龙;  何凯;  闫欣;  田进寿;  李少辉;  尹飞;  辛丽伟
Adobe PDF(409Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：191/9  |  提交时间：2019/12/23