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| 微通道板用微阵列基板的制备方法 专利 专利类型: 发明专利, 专利号: CN201810510267.3, 申请日期: 2018-11-16, 公开日期: 2018-11-16 发明人: 许彦涛; 郭海涛; 陆敏; 朱香平; 郭俊江; 邹永星; 彭波 Adobe PDF(996Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:258/0  |  提交时间:2018/12/28 |
| 一种微通道板及在微通道板内壁制备Ni掺杂Al2O3高阻薄膜的方法 专利 专利类型: 发明专利, 专利号: CN201810791167.2, 申请日期: 2018-07-18, 公开日期: 2019-01-11 发明人: 郭俊江; 彭波; 郭海涛; 许彦涛; 朱香平; 曹伟伟; 邹永星; 陆敏 Adobe PDF(1689Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:235/1  |  提交时间:2019/08/30 |
| 原子层沉积制备W掺杂Al2O3高阻薄膜的方法 专利 专利类型: 发明专利, 专利号: CN108588679A, 申请日期: 2018-05-21, 公开日期: 2018-09-28 发明人: 朱香平; 邹永星; 赵卫; 郭海涛; 陆敏; 许彦涛; 张文松 Adobe PDF(1359Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:171/0  |  提交时间:2019/08/30 |
| 原子层沉积制备Mo掺杂Al2O3高阻薄膜的方法 专利 专利类型: 发明专利, 专利号: CN108588680A, 申请日期: 2018-05-21, 公开日期: 2018-09-28 发明人: 朱香平; 邹永星; 赵卫; 郭海涛; 陆敏; 许彦涛; 张文松 Adobe PDF(1206Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:140/0  |  提交时间:2019/08/27 |
| 原子层沉积制备W掺杂Al2O3高阻薄膜的方法 专利 专利类型: 发明专利, 专利号: CN201810489471.1, 申请日期: 2018-05-21, 公开日期: 2018-09-28 发明人: 朱香平; 邹永星; 赵卫; 郭海涛; 陆敏; 许彦涛; 张文松 Adobe PDF(1357Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:179/0  |  提交时间:2018/12/29 |
| 原子层沉积制备Mo掺杂Al2O3高阻薄膜的方法 专利 专利类型: 发明专利, 专利号: CN201810489472.6, 申请日期: 2018-05-21, 公开日期: 2018-09-28 发明人: 朱香平; 邹永星; 赵卫; 郭海涛; 陆敏; 许彦涛; 张文松 Adobe PDF(1203Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:283/0  |  提交时间:2018/12/29 |