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面発光レーザとその作製方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000353858A, 申请日期: 2000-12-19, 公开日期: 2000-12-19
发明人:  舘野 功太;  大礒 義孝;  植之原 裕行;  香川 俊明
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半導体レーザおよびその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000349388A, 申请日期: 2000-12-15, 公开日期: 2000-12-15
发明人:  荒木田 孝博;  沢野 博之;  大沢 洋一;  堀田 等
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半導体発光素子及びその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000332365A, 申请日期: 2000-11-30, 公开日期: 2000-11-30
发明人:  副島 玲子
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半導体素子の製造方法、及び半導体素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000312054A, 申请日期: 2000-11-07, 公开日期: 2000-11-07
发明人:  高橋幸司
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発光素子用エピタキシャルウエハおよび発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000307148A, 申请日期: 2000-11-02, 公开日期: 2000-11-02
发明人:  柴田 憲治;  柴田 真佐知;  金田 直樹;  今野 泰一郎;  塚本 孝信
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半導体光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000307196A, 申请日期: 2000-11-02, 公开日期: 2000-11-02
发明人:  矢沢 正光;  百瀬 正之;  濱田 博;  田中 俊明
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高出力半導体レーザ及びその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000294877A, 申请日期: 2000-10-20, 公开日期: 2000-10-20
发明人:  多田 健太郎
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半導体レーザ 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000294876A, 申请日期: 2000-10-20, 公开日期: 2000-10-20
发明人:  佐々木 善浩
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III族窒化物系化合物半導体素子及びその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000286449A, 申请日期: 2000-10-13, 公开日期: 2000-10-13
发明人:  加藤 久喜;  小出 典克
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半導体光機能装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000277864A, 申请日期: 2000-10-06, 公开日期: 2000-10-06
发明人:  浅野 英樹
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