高功率半导体激光列阵芯片测试表征与仿真优化

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	高功率半导体激光列阵芯片测试表征与仿真优化
其他题名	Testing Characterization and Simulating Optimization of High-power Laser Diode Array Chips
	杜宇琦 1,2; 王贞福1 ; 张晓颖 3; 杨国文1 ; 李特 1; 刘育衔 1,2; 李波 1,2; 常奕栋 1,2; 赵宇亮 1,2; 兰宇 1,2
作者部门	瞬态光学研究室
	2021-05-15
发表期刊	发光学报
ISSN	1000-7032
卷号	42 期号:5 页码:674-681
产权排序	1
摘要	针对高功率半导体激光芯片工作温度升高易引起芯片性能退化和失效问题,首先理论分析了工作温度对内量子效率的影响机理。其次,为量化温度影响芯片稳定性的主要因素,自主搭建高功率半导体激光列阵芯片测试系统,研究15～60℃半导体激光列阵芯片的温度特性,分析了5种能量损耗分布及其随温度的变化趋势。实验结果表明,当温度由15℃升高至60℃,载流子泄漏损耗占比由2.30%急剧上升至11.36%,是造成半导体激光芯片在高温下电光转换效率降低的主要因素。最后进行了外延结构的仿真优化,仿真结果表明,提高波导层Al组分至20%,能有效限制载流子泄漏,平衡Al组分增加带来的串联电阻增大问题,可以获得高效率输出。该研究对高温下半导体激光芯片的设计具有重要的指导意义。
关键词	高功率半导体激光列阵芯片高温特性能量损耗分布
收录类别	EI
语种	中文
EI入藏号	20212110414100
文献类型	期刊论文
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/94816
专题	瞬态光学研究室
通讯作者	王贞福
作者单位	1.中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学与光子技术国家重点实验室 2.中国科学院大学 3.陕西省计量科学研究院
第一作者单位	中国科学院西安光学精密机械研究所
通讯作者单位	中国科学院西安光学精密机械研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	杜宇琦,王贞福,张晓颖,等. 高功率半导体激光列阵芯片测试表征与仿真优化[J]. 发光学报,2021,42(5):674-681.
APA	杜宇琦.,王贞福.,张晓颖.,杨国文.,李特.,...&兰宇.(2021).高功率半导体激光列阵芯片测试表征与仿真优化.发光学报,42(5),674-681.
MLA	杜宇琦,et al."高功率半导体激光列阵芯片测试表征与仿真优化".发光学报 42.5(2021):674-681.

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高功率半导体激光列阵芯片测试表征与仿真优（2052KB）	期刊论文	作者接受稿	限制开放	CC BY-NC-SA	请求全文