| 高功率半导体激光阵列的高温特性机理 | |
| 其他题名 | Analysis on High Temperature Characteristic of High Power Semiconductor Laser Array |
李波1,2; 王贞福1 ; 仇伯仓1; 杨国文1,2; 李特1; 赵宇亮1,2; 刘育衔1,2; 王刚1,2; 白少博1; 杜宇琦1,2
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| 作者部门 | 瞬态光学研究室 |
| 2020-09-01 | |
| 发表期刊 | 发光学报
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| ISSN | 10007032 |
| 卷号 | 41期号:9页码:1158-1164 |
| 产权排序 | 1 |
| 摘要 | 高峰值功率半导体激光阵列在高温工作条件中的应用需求日益凸显,本文以微通道封装的高峰值功率960 nm半导体激光阵列为研究对象,通过精密控温系统测试了其在10～80℃范围内峰值功率、电光转换效率、工作电压和光谱等一系列光电特性,结合理论分析,给出不同温度下电光转化效率的能量损耗分布。结果表明,工作温度从10℃升高到80℃后,电光转化效率从63.95%下降到47.68%,其中载流子泄漏损耗占比从1.93%上升到14.85%,是导致电光转换效率下降的主要因素。该研究对高峰值功率半导体激光器阵列在高温应用和激光芯片设计方面具有重要的指导意义。 |
| 关键词 | 高功率半导体激光阵列 高温 微通道 电光转化效率 能量损耗分布 |
| DOI | 10.37188/fgxb20204109.1158 |
| 收录类别 | EI ; CSCD |
| 语种 | 中文 |
| CSCD记录号 | CSCD:6815572 |
| EI入藏号 | 20204109330531 |
| 引用统计 | |
| 文献类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/93745 |
| 专题 | 瞬态光学研究室 |
| 通讯作者 | 王贞福 |
| 作者单位 | 1.中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学与光子技术国家重点实验室 2.中国科学院大学 |
| 第一作者单位 | 中国科学院西安光学精密机械研究所 |
| 通讯作者单位 | 中国科学院西安光学精密机械研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李波,王贞福,仇伯仓,等. 高功率半导体激光阵列的高温特性机理[J]. 发光学报,2020,41(9):1158-1164. |
| APA | 李波.,王贞福.,仇伯仓.,杨国文.,李特.,...&杜宇琦.(2020).高功率半导体激光阵列的高温特性机理.发光学报,41(9),1158-1164. |
| MLA | 李波,et al."高功率半导体激光阵列的高温特性机理".发光学报 41.9(2020):1158-1164. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 高功率半导体激光阵列的高温特性机理.pd（3088KB） | 期刊论文 | 出版稿 | 限制开放 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | |
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